溫度保護(hù)設(shè)備芯片式NTC熱敏電阻的應(yīng)用(下)

 我們繼續(xù)介紹溫度保護(hù)設(shè)備芯片式NTC熱敏電阻的應(yīng)用，如下。

樣例應(yīng)用：HDD的溫度檢測(cè)

用作PC和其他智能電子設(shè)備的存儲(chǔ)設(shè)備的HDD是熱敏設(shè)備，高溫會(huì)增加發(fā)生錯(cuò)誤和故障的可能性。因此，溫度傳感器會(huì)檢測(cè)其溫度，并且當(dāng)溫度超過(guò)定義的閾值時(shí)，將打開(kāi)風(fēng)扇以冷卻設(shè)備。由NTC熱敏電阻和固定電阻組成的相對(duì)簡(jiǎn)單的溫度檢測(cè)電路的精度足以保護(hù)HDD，并且比使用溫度傳感器IC的電路更具成本效益。下圖顯示了用NTC熱敏電阻替換溫度傳感器IC。

樣例應(yīng)用：HDD磁頭寫(xiě)操作的溫度檢測(cè)

HDD中的數(shù)據(jù)寫(xiě)入是利用由記錄頭中的線圈產(chǎn)生的磁力將磁記錄在盤(pán)片（磁盤(pán)）的磁性層中。過(guò)度書(shū)寫(xiě)會(huì)導(dǎo)致磁頭過(guò)熱，并對(duì)磁頭元件產(chǎn)生不利影響。因此，如下圖所示，帶有NTC熱敏電阻的溫度檢測(cè)電路用于控制流經(jīng)打印頭的電流。

樣例應(yīng)用：熱敏打印機(jī)的溫度控制

用于在熱敏紙上打印的熱敏打印機(jī)用作POS收銀機(jī)的收據(jù)打印機(jī)和條形碼或標(biāo)簽打印機(jī)。熱敏打印頭的溫度與打印字符的飽和度和厚度有關(guān)：溫度越高，字符越黑越濃。為了保持恒定的打印質(zhì)量，根據(jù)檢測(cè)到的熱敏頭溫度，通過(guò)改變提供給熱敏頭的電流的脈沖寬度來(lái)控制電壓。下圖顯示了使用NTC熱敏電阻的溫度檢測(cè)電路塊的示例。

示例應(yīng)用：LCD的溫度補(bǔ)償

智能手機(jī)，平板電腦和其他緊湊型設(shè)備中使用的LCD顯示器的對(duì)比度取決于溫度，并且取決于環(huán)境溫度而變化。因此，必須根據(jù)環(huán)境溫度來(lái)調(diào)整驅(qū)動(dòng)電壓。下圖顯示了一個(gè)典型的溫度補(bǔ)償電路，結(jié)合了NTC熱敏電阻和固定電阻器。

示例應(yīng)用：晶體振蕩器的溫度補(bǔ)償

使用晶體諧振器的晶體振蕩器被用于諸如PC之類(lèi)的電子設(shè)備中以產(chǎn)生參考頻率（時(shí)鐘參考信號(hào)）。如下圖所示，晶體諧振器的溫度特性繪制出一條三次曲線，其拐點(diǎn)處于標(biāo)準(zhǔn)溫度（大多數(shù)情況下為25°C），并且振蕩頻率偏差（垂直軸）在很大程度上取決于溫度。通過(guò)將溫度特性與晶體諧振器相反的補(bǔ)償電路插入到低溫區(qū)域和高溫區(qū)域中的每一個(gè)中，來(lái)減小振蕩頻率偏差。這種模擬補(bǔ)償電路采用NTC熱敏電阻，電容器和電阻器。具有內(nèi)部溫度補(bǔ)償電路的晶體振蕩器稱(chēng)為T(mén)CXO（溫度補(bǔ)償晶體振蕩器）。

樣品應(yīng)用：半導(dǎo)體壓力傳感器的溫度補(bǔ)償

許多MEMS壓阻半導(dǎo)體壓力傳感器用于許多家用電器，工廠的自動(dòng)生產(chǎn)線，汽車(chē)應(yīng)用等。這樣的壓力傳感器由硅基板組成，該硅基板被蝕刻以形成薄的中空壓敏隔膜，該隔膜具有與壓敏橋連接的四個(gè)壓阻部件（應(yīng)變計(jì)）。當(dāng)隔膜受到來(lái)自介質(zhì)的壓力作用時(shí)，傳感器元件之間會(huì)產(chǎn)生電阻差，然后從橋接電路的兩端產(chǎn)生電信號(hào)。

壓阻半導(dǎo)體壓力傳感器具有體積小和靈敏度高的特點(diǎn)，但是由于傳感器元件的靈敏度與溫度有關(guān)，因此需要補(bǔ)償電路。下圖顯示了結(jié)合了NTC熱敏電阻和固定電阻的補(bǔ)償電路。通過(guò)NTC熱敏電阻的溫度相關(guān)電阻控制施加到壓力傳感器的電壓，可以實(shí)現(xiàn)溫度補(bǔ)償。還開(kāi)發(fā)了各種類(lèi)型的其他補(bǔ)償電路。

示例應(yīng)用：半導(dǎo)體的熱保護(hù)

在運(yùn)行過(guò)程中，需要保護(hù)半導(dǎo)體免受溫度過(guò)高的影響。將NTC熱敏電阻放置在電源模塊內(nèi)部的基板上，以監(jiān)視安裝模塊的散熱器溫度（圖）。NTC熱敏電阻的端子將連接到控制器的比較器。一旦NTC熱敏電阻的電阻降到預(yù)定值以下，控制器將降低通過(guò)所有半導(dǎo)體的功率以降低封裝內(nèi)部的溫度。

特別是在功率模塊中使用寬帶隙半導(dǎo)體（GaN或SiC）時(shí)，與標(biāo)準(zhǔn)硅相比，這會(huì)導(dǎo)致更高的工作溫度，并且可能需要使用不同的組件安裝方法。盡管對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)硅來(lái)說(shuō)，焊接或膠合已足夠，但更高的工作溫度現(xiàn)在主要需要燒結(jié)工藝，以將組件連接到DCB（直接銅鍵合）和鍵合連接，并使用金，銀或鋁線來(lái)實(shí)現(xiàn)互連。